基於C-MOSI的紅外輻射源，TO39封裝

描述

JSIR340-4型經濟實惠的紅外輻射源專(zhuan) 為(wei) NDIR氣體(ti) 分析和其他紅外測量應用而優(you) 化，如直接紅外光譜法、衰減全反射光譜法或光聲光譜法。基於(yu) CMOS的紅外輻射源的膜片可達到高達800°C的溫度。它能夠為(wei) 工業(ye) 應用提供長期穩定的輻射輸出，用於(yu) 在環境溫度為(wei) -20至85°C之間控製和監測過程氣體(ti) 及相關(guan) 氣體(ti) 。帶有標準TO封裝和蓋子的包裝版本適合測量距離長達2厘米。

我們(men) 紅外輻射源中使用的MEMS芯片包含一個(ge) 多層熱板膜片，內(nei) 含一個(ge) 高溫穩定的金屬CMOSI層。發射器芯片的有效麵積為(wei) 2.2 x 2.2平方毫米，基於(yu) 矽襯底並采用背刻蝕膜技術。所有薄膜工藝均采用標準MEMS工藝和CMOS兼容材料完成。活性C-MOSI電阻層免受老化和環境影響。

應用

lNDIR氣體(ti) 檢測

l衰減全反射光譜法

l直接紅外光譜法

l光聲光譜法

目標氣體(ti)

l二氧化碳、一氧化碳、一氧化二氮、氨氣、二氧化硫、六氟化硫以及成熟氣體(ti) 如乙烯(C2H4)和乙炔(C2H2)

特點

l由於(yu) 芯片膜片的低熱質量，時間常數為(wei) 11毫秒

l高膜片溫度高達770°C，有效芯片麵積為(wei) 2.2 x 2.2平方毫米

l長期穩定的芯片結構

l光譜帶寬從(cong) 2到15微米

lCMOSI芯片技術

技術參數

1. 在額定功率下

2. 25°C - 770°C

3. 在通電狀態下

4. 帶有18Ω熱電阻

5. 環境溫度為(wei) 25°C時

6. 連續模式下，平均排除故障時間（膜片破裂）為(wei) 63%，計算值基於(yu) 阿倫(lun) 尼烏(wu) 斯方程

7. 通過紅外相機測量（0.7 - 1.1微米），熱點溫度降低10%的平均溫度分布

8. 包括環境溫度

典型操作特性

電氣示意圖

電路

等效電路圖

機械製圖

底部

截麵圖