簡要描述:基於(yu) C-MOSI的紅外輻射源,SMD封裝,矽ARC窗口:適用於(yu) NDIR氣體(ti) 分析和其他紅外測量應用的經濟型紅外輻射源。該發射器僅(jin) 需250毫瓦輸入功率,也適合於(yu) 移動和手持設備。這款基於(yu) CMOS的紅外輻射源的膜片能夠達到高達800°C的溫度,具有長期穩定的輻射功率和短的時間常數。對於(yu) 高容量應用,如樓宇空調、自動化等,JSIR340因其出色的性價(jia) 比而非常適合。
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品牌 | Micro-Hybrid | 應用領域 | 綜合 |
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描述
適用於(yu) NDIR氣體(ti) 分析和其他紅外測量應用的經濟型紅外輻射源。該發射器僅(jin) 需250毫瓦輸入功率,也適合於(yu) 移動和手持設備。這款基於(yu) CMOS的紅外輻射源的膜片能夠達到高達800°C的溫度,具有長期穩定的輻射功率和短的時間常數。對於(yu) 高容量應用,如樓宇空調、自動化等,JSIR340因其出色的性價(jia) 比而非常適合。
帶有反射器的封裝適合從(cong) 2厘米的距離進行測量。MEMS發射器芯片由多層熱板膜組成,包含一個(ge) 高溫穩定的金屬CMOSI層。發射器芯片基於(yu) 矽襯底,采用背刻蝕膜技術。所有薄膜工藝均采用標準MEMS工藝和CMOS兼容材料完成。活性C-MOSI電阻層免受老化和環境影響。
應用
l非色散紅外氣體(ti) 檢測
l衰減全反射光譜法
l直接紅外光譜法
l光聲光譜法
目標氣體(ti)
l二氧化碳(CO2)
l甲烷(CH4)
l丙烷(C3H8)
l乙醇(C2H5OH)
l其他紅外活性氣體(ti)
特點
l成本效益高的組件
l標準MEMS技術
l與(yu) CMOS兼容的製造工藝
l熱板溫度高達740 °C
l適當的輻射輸出
l由於(yu) 熱質量低,調製深度高
技術參數
技術參數 | 數據 | 單位 |
光譜輸出範圍 | 2-15 | μm |
有效麵積 | 1.0x 1.0 | mm² |
耐熱1 | 25± 5 | Ω |
溫度係數2 | typ.1 000 | ppm/K |
時間常數0-63% | typ.7 | ms |
標稱功耗3 | 300 | mW |
工作電壓4 | typ.2.5 | V |
工作電流4 | typ.100 | mA |
推薦驅動模式 | Power mode | |
活動區域溫度1,5,6 | 610± 30 | °C |
窗口 | w/o | |
外殼 | TO46 | |
預計使用壽命7,8 | >5 000 h at 740 °C >100 000 h at 610 °C | |
絕對最大額定值 | ||
輸入功率3,5 | 400 | mW |
外殼溫度8 | 200 | °C |
活動區域溫度 | 740 | °C |
1. 額定功率下的單位
2. 25°C - 700°C
3. 功率開啟狀態
4. 帶有25Ω熱電阻
5. 環境溫度為(wei) 25°C時
6. 通過紅外相機(0.7-1.1μm)測量的熱點溫度降低10%後的溫度分布平均值
7. 連續模式下,平均排除障礙時間(MTTF)為(wei) 63%(膜斷裂,基於(yu) 阿倫(lun) 尼烏(wu) 斯定律的計算值)
8. 包括環境溫度
典型操作特性
電氣示意圖
電路
等效電路圖
機械製圖
底部
截麵圖-TO46反射器開放式
產(chan) 品概述
型號 | 類型 | 填充氣體(ti) | 低溫度 | 最高溫度 | 光圈 | 窗口 |
JSIR340-5-BL-R-D3.6-0-0 | TO46 with reflector | None | -20 °C | 180 °C | 2.55 mm | Open |
產(chan) 品谘詢