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基於C-MOSI的紅外輻射源,TO46型

簡要描述:基於(yu) C-MOSI的紅外輻射源,TO46型:JSIR340-4型經濟實惠的紅外輻射源專(zhuan) 為(wei) NDIR氣體(ti) 分析和其他紅外測量應用而優(you) 化,如直接紅外光譜法、衰減全反射光譜法或光聲光譜法。基於(yu) CMOS的紅外輻射源的膜片可達到高達800°C的溫度。它能夠為(wei) 工業(ye) 應用提供長期穩定的輻射輸出,用於(yu) 在環境溫度為(wei) -20至85°C之間控製和監測過程氣體(ti) 。

  • 產品品牌:Micro-Hybrid
  • 廠商性質:代理商
  • 更新時間:2024-09-25
  • 訪  問  量:619

詳細介紹

品牌Micro-Hybrid應用領域綜合

基於(yu) C-MOSI的紅外輻射源,TO46型 

描述

JSIR340-4型經濟實惠的紅外輻射源專(zhuan) 為(wei) NDIR氣體(ti) 分析和其他紅外測量應用而優(you) 化,如直接紅外光譜法、衰減全反射光譜法或光聲光譜法。基於(yu) CMOS的紅外輻射源的膜片可達到高達800°C的溫度。它能夠為(wei) 工業(ye) 應用提供長期穩定的輻射輸出,用於(yu) 在環境溫度為(wei) -20至85°C之間控製和監測過程氣體(ti) 。

矽濾波器優(you) 化了從(cong) 紫外到15.5微米波長範圍內(nei) 的輻射輸出。

作為(wei) SMD封裝,JSIR340特別適合自動拾放裝配和大批量生產(chan) 。

我們(men) 紅外輻射源中使用的MEMS芯片包含一個(ge) 多層熱板膜片,內(nei) 含一個(ge) 高溫穩定的金屬CMOSI層。發射器芯片的有效麵積為(wei) 2.2 x 2.2平方毫米,基於(yu) 矽襯底並采用背刻蝕膜技術。所有薄膜工藝均采用標準MEMS工藝和CMOS兼容材料完成。活性C-MOSI電阻層免受老化和環境影響。

應用

l非色散紅外氣體(ti) 檢測

l衰減全反射光譜法

l直接紅外光譜法

l光聲光譜法

目標氣體(ti)

l二氧化碳(CO2)

l甲烷(CH4)

l丙烷(C3H8)

l乙醇(C2H5OH)

l其他紅外活性氣體(ti)

特點

l成本效益高的組件

l標準MEMS技術

lCMOS兼容製造工藝

l有效的自動化裝配工藝,采用SMD封裝

l熱板溫度高達740°C

l適當的輻射輸出

l由於(yu) 熱質量低,調製深度高

技術參數

技術參數

TO39 open

SMD Si ARC

單位

光譜輸出範圍

2 ... 15

2 ... 15

μm

有效麵積

2.2 x 2.2

2.2 x 2.2

mm²

耐熱1

19 ± 5

17 ± 5

Ω

溫度係數2

typ. 1 200

typ. 1 000

ppm/K

時間常數0-63%

typ. 13

typ. 11.5

ms

標稱功耗3

650

650

mW

工作電壓4

typ. 3.5

typ. 3.3

V

工作電流4

typ. 180

typ. 200

mA

推薦驅動模式

Power mode

Power mode

活動區域溫度1,5,6

600 ± 30

500 ± 30

°C

窗口

open

Si ARC

外殼

TO39

SMD

預計使用壽命7,8

> 5 000 h at 740 °C

> 100 000 h at 600 °C

> 5 000 h at 640 °C

> 100 000 h at 500 °C

絕對最大額定值

輸入功率3,5

1 000

1 000

mW

外殼溫度8

200

200

°C

活動區域溫度

740

640

°C

1. 額定功率下的單位

2. 25°C - 700°C

3. 功率開啟狀態

4. 帶有25Ω熱電阻

5. 環境溫度為(wei) 25°C時

6. 通過紅外相機(0.7-1.1μm)測量的熱點溫度降低10%後的溫度分布平均值

7. 連續模式下,平均排除故障時間(MTTF)為(wei) 63%(膜斷裂,基於(yu) 阿倫(lun) 尼烏(wu) 斯定律的計算值)

8. 包括環境溫度

典型操作特性

基於(yu) C-MOSI的紅外輻射源,TO46型 

基於(yu) C-MOSI的紅外輻射源,TO46型 

基於(yu) C-MOSI的紅外輻射源,TO46型 

基於(yu) C-MOSI的紅外輻射源,TO46型 

電氣示意圖

基於(yu) C-MOSI的紅外輻射源,TO46型 

電路

等效電路圖

基於(yu) C-MOSI的紅外輻射源,TO46型 

機械製圖

TO39底部

基於(yu) C-MOSI的紅外輻射源,TO46型 

SMD底部

基於(yu) C-MOSI的紅外輻射源,TO46型 

截麵圖-TO39 reflector open

基於(yu) C-MOSI的紅外輻射源,TO46型 

截麵圖-SMD with filter

基於(yu) C-MOSI的紅外輻射源,TO46型 

產(chan) 品概述

型號

類型

填充氣體(ti)

低溫度

最高溫度

光圈

窗口

JSIR340-4-AL-R-D6.0-0-0

TO39 with reflector

None

-20 °C

180 °C

6.0 mm

Open

JSIR340-4-CB-0-S5.0-Air-A7

SMD

None

-20 °C

85 °C

5.0 x 5.0 mm²

Si ARC

 

產(chan) 品谘詢

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